在说到闪存的时候，就不得不提到“内存”——内存条的内存，运行内存的内存。
在手机厂商标出的类似于8+128g中。前面的8是内存，后面的128是闪存。
在电脑配置中，8g，16g是内存。256g固态硬盘的256是闪存。
众所周知，内存比闪存快太多。是因为，它不需要在断电之后保存数据，从结构上不要一个用来保存电子的电荷势阱。从而能使得电子快速通过栅极或者漏极完成一次充放电过程。
而闪存之所以慢，是因为它结构上多了一道保存电子的工序，而保存电子则可以使它在断电后也能维持当前数据结构，再在外部通过比较放大器来感应晶体管状态，便可输出0和1的状态。
在闪存的整体结构中，目前又分为nor闪存和nand闪存。
nor的读取速度极快，但擦除速度极慢。相比之下，nand的读取速度虽然比不过nor，但擦除速度却是快得让人发指。
因此，nor闪存一般用在需要经常读取，而不怎么需要擦除的固件上。
而nand闪存则用在需要经常进行读取和删除数据的场合。
而后世固态硬盘所说的sllc和tlc的区别的……但考虑了很久，发现不做视频不做图的情况下，是无法解释清楚mos场管效应原理的。
日了狗，上一章的标题错了。nada是什么鬼怎么打得这么顺手？爱你中文网小说阅读_www.20zw.com